随着半导体工艺节点缩小到10纳米以下，“干净”的定义发生了根本性的变化。传统的 HEPA 和 ULPA 过滤器 可以有效地处理颗粒物，但它们对于更隐蔽的威胁几乎毫无用处： 空气分子污染 (AMC).
AMC 是指可能在晶圆表面凝结、与工艺化学品发生反应或腐蚀精致金属特征的气相污染物。其后果对于晶圆厂的良率来说是灾难性的：碱性污染物会导致光刻中的光刻胶“T-可靠ping”，酸会导致金属腐蚀，有机物会造成晶圆雾霾。
解决这个问题需要将专门的 化学过滤器 直接集成到上限 风机 过滤器单元（FFU）中，在工艺工具上方创建微型工况分子纯度。本指南概述了如何针对特定威胁选择正确的过滤器。
了解目标：AMC 的基本知识
要选择正确的过滤器，您必须识别敌人。 AMC 通常分为影响晶圆生产的三个主要系列：
酸（MA 系列）： 包括 SOx、NOx、HCl 和 HF。这些会导致铜互连和铝部件快速腐蚀。
碱/胺（MB 系列）： 主要是氨 (NH3) 和各种胺。这些是 DUV 光刻胶 T-可靠ping 缺陷、专业服务商 光刻失败的主要原因。
可冷凝有机物/VOC（MV 系列）： 来自密封剂、清洁溶剂和废气材料的挥发性有机化合物。这些沉积在晶圆上，造成雾气并干扰沉积过程。
选择指南：MA、MB 和 MV 过滤器s
在得胜鑫，我们提供专门针对这些特定光谱而设计的化学品过滤器。它们通常安装在 FFU 的进气侧。
MA系列（除酸）： 利用经过处理的活性炭或专门浸渍的离子交换树脂以化学方式中和酸性气体。 推荐用于：蚀刻槽、镀铜区域。
MB 系列（碱/胺去除）： 使用经过酸性浸渍剂处理的介质与氨和胺快速反应。 推荐用于：光刻扫描仪、轨道/涂布机区域。
MV 系列（VOC/有机去除）： 采用高表面积活性炭，具有经过调整的特定孔结构，可吸附各种有机分子。 推荐用于：一般无尘室流通区域、沉积区域。
MAB/MAV（组合过滤器）： 对于具有混合污染特征的区域，多层过滤器可同时处理酸和碱。
关键的工程挑战：静压
在现有 HEPA/ULPA 过滤器 的 可靠 上添加活性炭介质致密床（化学物质 过滤器）会带来一个重大的新问题： 阻力 至 风量 高（静压降）。
专为颗粒物过滤而设计的标准现成 FFU 在这种增加的负载下会发生堵塞。 风量 速度将降至所需的 0.45 m/s 以下，影响 无尘室 的完整性。
得胜鑫解决方案：高扭矩、全链条制造
这种压力挑战就是为什么得胜鑫的“全产业链”方式对于AMC控制至关重要。
与使用通用第三方 电机 组装 FFU 的供应商不同，我们利用 20 多年的经验在 内部设计和制造我们自己的高性能 EC 和 AC 电机。
我们设计的 高静压 FFU 具有专门的高扭矩 电机 和优化的叶轮几何形状，专门用于穿透化学物质和颗粒物 过滤器 的组合 阻力。这可以保证您的关键晶圆生产区域同时获得分子洁净空气和维持产量所需的 风量 速度。
结论
控制 AMC 不是可选的；这是更好的晶圆生产的先决条件。通过选择正确的MA、MB或MV化学品过滤器并将其与得胜鑫的高扭矩FFU配对，晶圆厂可以有效消除腐蚀和T-可靠ping等缺陷，确保亚纳米时代的良率。
